Tunneling magnetoresistive sensor with spin polarized current injection

   
   

A tunneling magnetoresistive (TMR) stack configured to operate in a current-perpendicular-to-plane (CPP) mode has a plurality of layers including a spin valve and a barrier layer. The spin valve is used to inject a spin polarized sense current into the barrier layer for increasing a magnetoresistive (MR) ratio of the TMR stack.

Ένας ανοίγοντας magnetoresistive σωρός (TMR) που διαμορφώνεται για να λειτουργήσει σε έναν τρέχων-κάθετος-$$$-ΕΠΊΠΕΔΟ τρόπο (CPP) έχει μια πολλαπλότητα των στρωμάτων συμπεριλαμβανομένης μιας βαλβίδας περιστροφής και ενός στρώματος εμποδίων. Η βαλβίδα περιστροφής χρησιμοποιείται για να εγχύσει ένα πολωμένο περιστροφή ρεύμα αίσθησης στο στρώμα εμποδίων για την αύξηση μιας magnetoresistive αναλογίας (MR) του σωρού TMR.

 
Web www.patentalert.com

< Magnetoresistance effect film and device

< Thin-film magnetic head designed for narrower tracks

> Thin-film magnetic head capable of suppressing side fringing

> External disk drive compatible with a serial advanced technology attachment (SATA) standard including a SATA compatible shielded cable capable of receiving power signals from a host

~ 00127