This is a COC type semiconductor device in which a second bump of a second
semiconductor chip is bonded on a first bump provided on a first
semiconductor chip. The bumps of the first and second semiconductor chips
are made of a first metal having relatively high melting point such as Au,
and the junction portion of the bump is bonded through a second metal
layer having lower melting point than that of the first metal. A step
lower than the central part is formed at least in a part of the outer
periphery at the top surface of the first bump. In this structure, in the
semiconductor device of COC type, even if a protective film of polyimide
or other resin is formed on the chip surface, a semiconductor device
capable of maintaining a high bond strength in the junction portion of the
bump is obtained.
Dit is een COC apparaat van de typehalfgeleider waarin een tweede buil van een tweede halfgeleiderspaander op een eerste buil geplakt wordt die op een eerste halfgeleiderspaander wordt verstrekt. De builen van de eerste en tweede halfgeleiderspaanders worden gemaakt van een eerste metaal dat vrij hoog smeltpunt zoals Au heeft, en het verbindingsgedeelte van de buil wordt geplakt door een tweede metaallaag die lager smeltpunt heeft dan dat van het eerste metaal. Een stap lager wordt dan het centrale deel gevormd op zijn minst in een deel van de buitenperiferie aan de hoogste oppervlakte van de eerste buil. In deze structuur, in het halfgeleiderapparaat van type COC, zelfs als een beschermende film van polyimide of andere hars op de spaanderoppervlakte wordt gevormd, wordt een halfgeleiderapparaat geschikt om een hoge bandsterkte in het verbindingsgedeelte van de buil te handhaven verkregen.
