In the semiconductor memory device, a control circuit generates various
commands for a memory cell array according to an internal command control
signal and an internal address signal output from an input switching
circuit for switching an input source of the command control signals and
the address signal between an external terminal and a BIST circuit. In the
BIST mode, the input switching circuit cuts the signal input from the
external terminal and generates the internal command control signal and
the internal address signal according to an output signal from the BIST
circuit. Transition to the BIST mode and return to the normal operation
mode are indicated by a combination of signals supplied to the external
terminal. Therefore, an interface between a built in BIST circuit and
other internal circuits can be secured without an addition of a special
interface specification.
В приспособлении памяти полупроводника, цепь управления производит различные команды для блока ячейкы памяти согласно внутренне сигналу управлением команды и внутренне выходу сигнала адреса от цепи переключения входного сигнала для переключать источника требований сигналов управлением команды и сигнала адреса между внешние цепью терминальных и BIST. В режиме BIST, цепь переключения входного сигнала режет сигнал ввода от внешнего стержня и производит внутренне сигнал управлением команды и внутренне сигнал адреса согласно выходному сигналу от цепи BIST. Переход к режиму BIST и возвращение к режиму нормальной деятельности показаны комбинацией сигналов поставленных к внешнему стержню. Поэтому, поверхность стыка между построенную в цепи BIST и других внутрених схемах можно обеспечить без добавления специальной спецификации поверхности стыка.
