A floating gate transistor has a reduced barrier energy at an interface
between a gallium nitride (GaN) or gallium aluminum nitride (GaAlN)
floating gate an adjacent gate insulator, allowing faster charge transfer
across the gate insulator at lower voltages. Data is stored as charge on
the floating gate. The data charge retention time on the floating gate is
reduced. The data stored on the floating gate is dynamically refreshed.
The floating gate transistor provides a dense and planar dynamic
electrically alterable and programmable read only memory (DEAPROM) cell
adapted for uses such as for a dynamic random access memory (DRAM) or a
dynamically refreshed flash EEPROM memory. The floating gate transistor
provides a high gain memory cell and low voltage operation.
Ein sich hin- und herbewegender Gattertransistor hat eine verringerte Sperre Energie an einer Schnittstelle zwischen einem Galliumnitrid (GaN) oder sich hin- und herbewegendem Gatter des Galliumaluminiumnitrids (GaAlN) eine angrenzende Gatterisolierung und erlaubt schnellere Aufladung Übertragung über die Gatterisolierung an den Niederspannungen. Daten werden wie Aufladung auf dem sich hin- und herbewegenden Gatter gespeichert. Die Datenaufladung Zurückhaltenzeit auf dem sich hin- und herbewegenden Gatter wird verringert. Die Daten, die auf dem sich hin- und herbewegenden Gatter gespeichert werden, werden dynamisch erneuert. Der sich hin- und herbewegende Gattertransistor stellt eine dichte und planare dynamische elektrisch änderbarer und programmierbarer Read-Only-Speicher (DEAPROM) Zelle zur Verfügung, die für Gebrauch wie für einen dynamischen RAM (DRAM) angepaßt wird oder ein dynamisch erneuertes grelles EEPROM Gedächtnis. Der sich hin- und herbewegende Gattertransistor liefert einen hohe Gewinnspeicherzelle und Niederspannung Betrieb.
