A method for forming a photomask includes providing a transparent substrate
and forming an opaque layer over at least a first portion of the
transparent substrate. The opaque layer is patterned to define a mask
pattern and expose at least a second portion of the transparent substrate.
The second portion is etched to define a phase shifting region. The width
of the phase shifting region defines a critical dimension. The critical
dimension is measured, and the phase shifting region is etched based on
the critical dimension to undercut the optically opaque layer. A photomask
includes a transparent substrate and a phase shifting region defined in
the transparent substrate. The phase shifting region includes sloped
sidewalls having a slope of less than about 85.degree..
Une méthode pour former un photomask inclut fournir un substrat transparent et former un excédent opaque de couche au moins une première partie du substrat transparent. La couche opaque est modelée pour définir un modèle de masque et pour exposer au moins une deuxième partie du substrat transparent. La deuxième partie est gravée à l'eau-forte pour définir une région de déphasage. La largeur de la région de déphasage définit une dimension critique. La dimension critique est mesurée, et la région de déphasage est gravée à l'eau-forte a basé sur la dimension critique pour dégager la couche optiquement opaque. Un photomask inclut un substrat transparent et une région de déphasage définis dans le substrat transparent. La région de déphasage inclut les parois latérales inclinées ayant une pente de moins qu'au sujet de 85.degree..
