Disclosed is a resistor structure for embedding in a dielectric material
including a thin film resistive material disposed on a surface of a
conductive layer wherein the surface has an isotropic surface roughness
having a Rz (din) value of 3 to 10 .mu.m and a peak-to-peak wavelength of
2 to 20 .mu.m.
Révélée est une structure de résistance pour enfoncer dans un matériel diélectrique comprenant un matériel résistif de la couche mince disposé sur une surface d'une couche conductrice où la surface a une rugosité extérieure isotrope avoir une valeur de Rz (vacarme) du mu.m 3 à 10 et d'une longueur d'onde de crête à crête du mu.m 2 à 20.
