Single-electron transistors include first and second electrodes and an
insulating layer between them on a substrate. The insulating layer has a
thickness that defines a spacing between the first and second electrodes.
At least one nanoparticle is provided on the insulating layer.
Accordingly, a desired spacing between the first and second electrodes may
be obtained without the need for high resolution photolithography. An
electrically-gated single-electron transistor may be formed, wherein a
gate electrode is provided on the at least nanoparticle opposite the
insulating layer end. Alternatively, a chemically-gated single-electron
transistor may be formed by providing an analyte-specific binding agent on
a surface of the at least one nanoparticle. Arrays of single-electron
transistors also may be formed on the substrate. The single-electron
transistors may be fabricated by forming a post electrode on a substrate,
conformally forming an insulating layer on at least a portion of the post
electrode and conformally forming a second electrode on at least a portion
of the insulating layer opposite the post electrode. At least one
nanoparticle is placed on the insulating layer, between the post electrode
and the second electrode.
i transistori dell'Singolo-elettrone includono in primo luogo e secondi elettrodi e uno strato isolante fra loro su un substrato. Lo strato isolante ha uno spessore che definisce un gioco fra i primi e secondi elettrodi. Almeno un nanoparticle è fornito sullo strato isolante. Di conseguenza, un gioco voluto fra i primi e secondi elettrodi può essere ottenuto senza l'esigenza di photolithography di alta risoluzione. Un transistore elettrico-electrically-gated dell'singolo-elettrone può essere formato, in cui un elettrodo di cancello è fornito almeno sul nanoparticle di fronte all'estremità di strato isolante. Alternativamente, un transistore chimico-chemically-gated dell'singolo-elettrone può essere costituito dal fornire un agente agglutinante di analyte-specifico su una superficie del almeno un nanoparticle. Gli allineamenti dei transistori dell'singolo-elettrone anche possono essere formati sul substrato. I transistori dell'singolo-elettrone possono essere fabbricati formando un elettrodo dell'alberino su un substrato, conformally formando uno strato isolante almeno su una parte dell'elettrodo dell'alberino e conformally formando un secondo elettrodo almeno su una parte dello strato isolante di fronte all'elettrodo dell'alberino. Almeno un nanoparticle è disposto sullo strato isolante, fra l'elettrodo dell'alberino ed il secondo elettrodo.
