A method of using high yielding spectra scatterometry measurements to
control semiconductor manufacturing processes and systems for
accomplishing same is disclosed. In one embodiment, the method comprises
providing a library comprised of at least one target optical
characteristic trace of a grating structure comprised of a plurality of
gate stacks, the target trace corresponding to a semiconductor device
having at least one desired electrical performance characteristic,
providing a substrate having at least one grating structure formed
thereabove, the formed grating structure comprised of a plurality of gate
stacks, illuminating at least one grating structure formed above said
substrate, measuring light reflected off of the grating structure formed
above the substrate to generate an optical characteristic trace for the
formed grating structure, and comparing the generated optical
characteristic trace to the target trace.
Un metodo di usando il high che rende a spettri le misure scatterometry ai processi di manufacturing a semiconduttore di controllo ed i sistemi per l'effettuazione degli stessi è rilevato. In un incorporamento, il metodo contiene fornire una biblioteca formata almeno da una traccia caratteristica ottica dell'obiettivo di una struttura stridente formata da una pluralità di pile del cancello, la traccia dell'obiettivo che corrisponde ad un dispositivo a semiconduttore che ha almeno uno ha voluto la caratteristica di prestazioni elettrica, fornendo un substrato che ha almeno un thereabove formato struttura stridente, la struttura stridente formata formata da una pluralità di pile del cancello, illuminante almeno una struttura stridente formata sopra il substrato detto, misurante la luce riflessa fuori della struttura stridente formata sopra il substrato per generare una traccia caratteristica ottica per la struttura stridente formata e confrontante la traccia caratteristica ottica generata alla traccia dell'obiettivo.
