The invention concerns a monolithically integrated semiconductor component,
having a first charge carrier region of a first charge carrier doping; at
least two second charge carrier regions with opposite charge carrier
doping, patterned within the first charge carrier region at a spacing from
one another, and third charge carrier regions, with the first charge
carrier doping, patterned within the second charge carrier regions, a PN
transition being short-circuited between the second charge carrier regions
and the third charge carrier regions via a contacting area (source
connection), the first charge carrier region being equipped with a contact
(drain connection), and the second charge carrier regions being invertable
by means of a contacting area in the region between the first charge
carrier region and the third charge carrier region; and having at least
one Schottky diode connected in parallel with the charge carrier region
and the charge carrier region. Provision is made for the first charge
carrier region to have a further contacting area, this contacting area
being additionally doped near the surface, depending on the doping
concentration of the first region, with a further near-surface charge
carrier region of higher concentration, so that an ohmic contact is
created and is connected to the anode connection of the at least one
Schottky diode.
Η εφεύρεση αφορά ένα monolithically ενσωματωμένο τμήμα ημιαγωγών, που έχει μια πρώτη περιοχή μεταφορέων δαπανών μιας πρώτης νάρκωσης μεταφορέων δαπανών τουλάχιστον δύο δεύτερες περιοχές μεταφορέων δαπανών με την αντίθετη νάρκωση μεταφορέων δαπανών, που διαμορφώνεται μέσα στην πρώτη περιοχή μεταφορέων δαπανών σε ένα διάστημα μεταξύ τους, και τρίτες περιοχές μεταφορέων δαπανών, με την πρώτη νάρκωση μεταφορέων δαπανών, που διαμορφώνεται μέσα στις δεύτερες περιοχές μεταφορέων δαπανών, μια μετάβαση PN που βραχυκυκλώνεται μεταξύ των δεύτερων περιοχών μεταφορέων δαπανών και των τρίτων περιοχών μεταφορέων δαπανών μέσω μιας περιοχής επαφής (σύνδεση πηγής), η πρώτη περιοχή μεταφορέων δαπανών που εξοπλίζονται με μια επαφή (σύνδεση αγωγών), και οι δεύτερες περιοχές μεταφορέων δαπανών που είναι invertable με τη βοήθεια μιας περιοχής επαφής στην περιοχή μεταξύ της πρώτης περιοχής μεταφορέων δαπανών και της τρίτης περιοχής μεταφορέων δαπανών και η κατοχή τουλάχιστον μιας διόδου Schottky σύνδεσε παράλληλα με την περιοχή μεταφορέων δαπανών και την περιοχή μεταφορέων δαπανών. Μέτρα λαμβάνονται για την πρώτη περιοχή μεταφορέων δαπανών να έχουν μια περαιτέρω περιοχή επαφής, αυτή η περιοχή επαφής πρόσθετα που ναρκώνεται κοντά στην επιφάνεια, ανάλογα με τη συγκέντρωση νάρκωσης της πρώτης περιοχής, με μια περαιτέρω near-surface περιοχή μεταφορέων δαπανών της υψηλότερης συγκέντρωσης, έτσι ώστε μια ωμική επαφή δημιουργείται και συνδέεται με τη σύνδεση ανόδων της τουλάχιστον μιας διόδου Schottky.
