A flash memory having a charge-storage dielectric layer. According to one
embodiment, charge-storage dielectric layers are formed over the first and
second active regions. The charge-storage layer over the first active
region is not connected to the charge-storage layer over the second active
region. A gate line overlies the charge-storage layer and extends across
the first and second active regions and the isolation region. The
charge-storage layer can be formed only where a gate line intersects an
active region of a semiconductor substrate, not on an isolation region.
Thus, undesirable influence or disturbance from adjacent memory cells can
be avoided.
Una memoria istantanea che ha uno strato del dielettrico del charge-storage. Secondo un incorporamento, gli strati dielettrici del charge-storage sono eccedenza formata le prime e seconde regioni attive. L'eccedenza di strato del charge-storage la prima regione attiva non è collegata all'eccedenza di strato del charge-storage la seconda regione attiva. Una linea del cancello ricopre lo strato del charge-storage e si estende attraverso le prime e seconde regioni attive e la regione di isolamento. Lo strato del charge-storage può essere formato soltanto dove una linea del cancello interseca una regione attiva di un substrato a semiconduttore, non su una regione di isolamento. Quindi, l'influenza o la dispersione indesiderabile dalle cellule di memoria adiacenti può essere evitata.
