Integrated circuit capacitor electrodes include a first conductive ring on
a face of an integrated circuit substrate. A second conductive ring is
provided on the first conductive ring opposite the substrate. A third
conductive ring also is provided on the first conductive ring opposite the
substrate. The third ring is located at least partially within the second
ring. A conductive layer electrically connects the first, second and third
rings. To form the electrodes, a first conductive layer is conformally
deposited in the areas in which the electrodes will be formed and on a
mold oxide layer. A first buffer dielectric layer is deposited on the
first conductive layer. The first buffer dielectric layer and the first
conductive layer are etched to separate nodes of the first conductive
layer. Recessed portions are formed by further etching the first
conductive layer. The mold oxide layer and the first buffer dielectric
layer deposited beside the recessed portions are etched to define areas in
which the upper storage electrodes of dual cylindrical type are formed. A
second conductive layer is conformally deposited in the areas in which the
upper storage electrodes are formed and on the mold oxide layer and the
buffer dielectric layer.
Os elétrodos do capacitor do circuito integrado incluem um primeiro anel condutor em uma cara de uma carcaça do circuito integrado. Um segundo anel condutor é fornecido no primeiro anel condutor oposto à carcaça. Um terceiro anel condutor é fornecido também no primeiro anel condutor oposto à carcaça. O terceiro anel é ficado situado ao menos parcialmente dentro do segundo anel. Uma camada condutora conecta eletricamente os primeiros, segundos e terceiros anéis. Para dar forma aos elétrodos, uma primeira camada condutora é depositada conformally nas áreas em que os elétrodos serão dados forma e em uma camada do óxido do molde. Uma camada dieléctrica do primeiro amortecedor é depositada na primeira camada condutora. A camada dieléctrica do primeiro amortecedor e a primeira camada condutora são gravadas para separar nós da primeira camada condutora. As parcelas recessed são dadas forma gravura a água-forte mais adicional a primeira camada condutora. A camada do óxido do molde e a camada dieléctrica do primeiro amortecedor depositadas ao lado das parcelas recessed são gravadas para definir as áreas em que os elétrodos superiores do armazenamento do tipo cilíndrico duplo são dados forma. Uma segunda camada condutora é depositada conformally nas áreas em que os elétrodos superiores do armazenamento são dados forma e na camada do óxido do molde e na camada do dielétrico do amortecedor.
