Systems and methods are provided for nonvolatile memory devices that
incorporate a band-gap engineered gate stack with asymmetric tunnel
barriers. One embodiment of a memory device includes first and second
source/drain regions separated by a channel region in a substrate, a
control gate, and a gate stack between the control gate and the channel
region. The gate stack includes a first insulator region in contact with
the channel region, a floating charge-storage region in contact with the
first insulator region, and a second insulator region in contact with the
floating charge-storage region and the control gate. The gate stack
includes selected material, in conjunction with control gate metallurgy,
for providing desired asymmetric energy barriers that are adapted to
primarily restrict carrier flow during programming to a selected carrier
between the control gate and the floating charge-storage region, and to
retain a programmed charge in the floating charge-storage region. Other
aspects are provided herein.
De systemen en de methodes worden verstrekt voor niet-vluchtig geheugenapparaten die een band-hiaat gebouwde poortstapel met asymmetrische tunnelbarrières opnemen. Één belichaming van een geheugenapparaat omvat eerst en tweede bron/afvoerkanaalgebieden die door een kanaalgebied worden gescheiden in een substraat, een controlepoort, en een poortstapel tussen de controlepoort en het kanaalgebied. De poortstapel omvat een eerste isolatiegebied in contact met het kanaalgebied, drijvend een last-opslag gebied in contact met het eerste isolatiegebied, en een tweede isolatiegebied in contact met drijvende het last-opslag gebied en de controlepoort. De poortstapel omvat geselecteerd materiaal, samen met de metallurgie van de controlepoort, voor het verstrekken van gewenste asymmetrische energiebarrières die worden aangepast om dragerstroom tijdens programmering tot een geselecteerde drager hoofdzakelijk te beperken tussen de controlepoort en drijvende het last-opslag gebied, en om een geprogrammeerde last in drijvende het last-opslag gebied te behouden. Andere aspecten worden hierin verstrekt.
