A high temperature thermal annealing process creates a low resistance
contact between a metal material and an organic material of an organic
semiconductor device, which improves the efficiency of carrier injection.
The process forms ohmic contacts and Schottky contacts. Additionally, the
process may cause metal ions or atoms to migrate or diffuse into the
organic material, cause the organic material to crystallize, or both. The
resulting organic semiconductor device has enhanced operating
characteristics such as faster speeds of operation. Instead of using heat,
the process may use other forms of energy, such as voltage, current,
electromagnetic radiation energy for localized heating, infrared energy
and ultraviolet energy. An example enhanced organic diode comprising
aluminum, carbon C.sub.60, and copper is described, as well as example
insulated gate field effect transistors.
Процесс отжига высокой температуры термально создает низкий контакт сопротивления между материалом металла и органическим материалом органический прибора на полупроводниках, который улучшает эффективность впрыски несущей. Процесс формирует омовские контакты и контакты schottky. Дополнительно, процесс может причинить ионы металла или атомы, котор нужно проникнуть или отразить в органический материал, причиняют органический материал выкристаллизовывать, или оба. Приводя к органический прибора на полупроводниках увеличивал работая характеристики such as более быстрые скорости деятельности. Вместо использования жары, процесс может использовать другие формы энергии, such as напряжение тока, течение, энергия электромагнитного излучения для локализованного топления, ультракрасная энергия и энергия ультрафиолетового луча. Диод увеличенный примером органический состоя из алюминия, углерода C.sub.60, и меди описан, так же, как изолированные примером транзисторы влияния поля строба.
