An integrated optoelectronic circuit and process for making is described
incorporating a photodetector and a MODFET on a chip. The chip contains a
single-crystal semiconductor substrate, a buffer layer of SiGe graded in
composition, a relaxed SiGe layer, a quantum well layer, an undoped SiGe
spacer layer and a doped SiGe supply layer. The photodetector may be a
metal-semiconductor-metal (MSM) or a p-i-n device. The detector may be
integrated with an n- or p-type MODFET, or both in a CMOS configuration,
and the MODFET can incorporate a Schottky or insulating gate. The
invention overcomes the problem of producing Si-manufacturing-compatible
monolithic high-speed optoelectronic circuits for 850 nm operation by
using epixially-grown Si/SiGe heterostructure layers.
Описаны интегрированные optoelectronic цепь и процесс для делать включая фотодетектор и MODFET на обломоке. Обломок содержит субстрат полупроводника одиночн-kristalla, рассортированный слой буфера SiGe в составе, ослабленный слой SiGe, слой добра суммы, undoped слой прокладки SiGe и данный допинг слой поставкы SiGe. Фотодетектор может быть металл-полупроводник-metallom (MSM) или приспособлением штыря. Детектор может быть интегрирован с n- или п-tipom MODFET, или обоими в конфигурации cmos, и MODFET может включать schottky или изолируя строб. Вымысел отжимает проблему производить цепи Кремни-изготавливани-sovmestimo1 монолитовой высокой скорости optoelectronic для деятельности 850 nm путем использование, котор епихиаллы-vyrosli слоев гетероструктуры Si/SiGe.
