A CMOS imager having an epitaxial layer formed below pixel sensor cells is
disclosed. An epitaxial layer is formed between a semiconductor substrate
and a photosensitive region to improve the cross-talk between pixel cells.
The thickness of the epitaxial layer is optimized so that the collection
of signal carriers by the photosensitive region is maximized.
Une encre en poudre de CMOS ayant une couche épitaxiale formée au-dessous des cellules de sonde de Pixel est révélée. Une couche épitaxiale est formée entre un substrat de semi-conducteur et une région photosensible pour améliorer l'interférence entre les cellules de Pixel. L'épaisseur de la couche épitaxiale est optimisée de sorte que la collection de porteurs de signal par la région photosensible soit maximisée.
