A heterojunction bipolar transistor comprising a collector layer of a first
conductivity type, a base layer of a second conductivity type, and an
emitter layer of the first conductivity type, which are formed on a
semiconductor substrate in this order, and further a collector electrode
directly or indirectly connected to the collector layer, a base electrode
directly or indirectly connected to the base layer, and an emitter
electrode directly or indirectly connected to the emitter layer, wherein a
semiconductor protecting layer is formed on the base layer and extended
outside an edge of the base layer, the base electrode is formed on the
semiconductor protecting layer, and at least a region under the
semiconductor protecting layer is filled with an organic insulator.
Ein zweipoliger Transistor des Heterojunction, der eine Kollektorschicht von einer ersten Leitfähigkeitart, eine Basisschicht von einer zweiten Leitfähigkeitart und eine Emitterschicht von der ersten Leitfähigkeitart enthält, die auf einem Halbleitersubstrat in diesem Auftrag gebildet werden, und weiter von einer Kollektorelektrode direkt oder indirekt direkt angeschlossen an die Kollektorschicht, eine niedrige Elektrode oder indirekt direkt angeschlossen an die Basisschicht und eine Emitterelektrode oder an die Emitterschicht indirekt angeschlossen, worin eine schützende Schicht des Halbleiters auf der Basisschicht gebildet wird und außerhalb eines Randes der Basisschicht verlängert, die niedrige Elektrode wird gebildet auf der schützenden Schicht des Halbleiters und mindestens einer Region unter Halbleiter schützende wird die Schicht mit einer organischen Isolierung gefüllt.
