A method of making a heterojunction bipolar transistor comprises the steps
of: forming a mask layer on a compound semiconductor film by using a
photomask for forming an emitter; and forming the emitter by wet-etching
the compound semiconductor film by using the mask layer. The photomask has
a pattern thereon for forming the emitter. The pattern is defined by a
first area R associated with the shape of the emitter to be formed, and a
plurality of second areas T.sub.1 to T.sub.4. Each of the second areas
T.sub.1 to T.sub.4 includes first and second sides S.sub.1 and S.sub.2
meeting each other to form an acute angle therebetween, and a third side
S.sub.3 in contact with the first area R. In each of the second areas
T.sub.1 to T.sub.4, one side S.sub.3 of the two sides meeting each other
to form a right angle therebetween is in contact with one side of the area
R, whereas the other side S.sub.1 is connected to another side of the
first area R to form a line segment. Using this photomask, an etching mask
is arranged such that a side S.sub.11 of the first area R is oriented in
[001] direction of the emitter crystal film. When the emitter crystal film
is etched by use of the etching mask, a rectangular emitter is obtained.
Μια μέθοδος μιας κάνοντας ετεροεπαφής διπολική κρυσταλλολυχνία περιλαμβάνει τα βήματα: διαμορφώνοντας ένα στρώμα μασκών σε μια σύνθετη ταινία ημιαγωγών με τη χρησιμοποίηση ενός photomask για τη διαμόρφωση ενός εκπομπού και διαμορφώνοντας τον εκπομπό με την υγρός-χάραξη της σύνθετης ταινίας ημιαγωγών με τη χρησιμοποίηση του στρώματος μασκών. Το photomask έχει ένα σχέδιο επ'αυτού για τη διαμόρφωση του εκπομπού. Το σχέδιο καθορίζεται από μια πρώτη περιοχή ρ που συνδέονται με τη μορφή του εκπομπού που διαμορφώνεται, και μια πολλαπλότητα των δεύτερων περιοχών T.sub.1 σε T.sub.4. Κάθε μια από τις δεύτερες περιοχές T.sub.1 σε T.sub.4 περιλαμβάνει πρώτα και συνεδρίαση S.sub.1 και S.sub.2 των δεύτερων πλευρών μεταξύ τους για να διαμορφώσει μια οξεία γωνία, και ένα τρίτο δευτερεύον S.sub.3 σε επαφή με την πρώτη περιοχή ρ. Σε κάθε μια από τις δεύτερες περιοχές T.sub.1 σε T.sub.4, ένα δευτερεύον S.sub.3 των δύο πλευρών που συναντούν η μια την άλλη για να διαμορφώσει μια σωστή γωνία είναι σε επαφή με μια πλευρά της περιοχής ρ, ενώ το άλλο δευτερεύον S.sub.1 συνδέεται με μια άλλη πλευρά της πρώτης περιοχής ρ για να διαμορφώσει ένα τμήμα γραμμών. Χρησιμοποιώντας αυτό το photomask, μια μάσκα χαρακτικής τακτοποιείται έτσι ώστε ένα δευτερεύον S.sub.11 της πρώτης περιοχής ρ είναι προσανατολισμένο [ στην κατεύθυνση 001 ] της ταινίας κρυστάλλου εκπομπών. Όταν η ταινία κρυστάλλου εκπομπών χαράζεται μέσω της μάσκας χαρακτικής, ένας ορθογώνιος εκπομπός λαμβάνεται.
