A highly reliable member for a semiconductor device, in which a high
melting point metallizing layer, which consists mainly of a high melting
point metal such as W and/or Mo, and an intervening metal layer, which has
a melting point of not greater than 1,000.degree. C. and consists mainly
of at least one selected from among Ni, Cu and Fe, are provided on an AlN
substrate material in this order on the AlN substrate material, and a
conductor layer consisting mainly of copper is directly bonded to the
intervening metal layer without intervention of a solder material layer. A
semiconductor element or the like is mounted on the member for a
semiconductor device, thereby fabricating a semiconductor device. The high
melting point metallizing layer is formed on an aluminum nitride substrate
by post-fire or co-fire metallization.
Высоки надежный член для прибора на полупроводниках, в котором высокий слой точки плавления металлизируя, который состоит главным образом высокого металла точки плавления such as ш and/or mo, и вмешиваясь слой металла, который имеет точку плавления greater than 1,000.degree. C и состоит главным образом по крайней мере одного выбранного от среди ni, cu и fe, обеспечено на материале субстрата AlN в этом заказе на материале субстрата AlN, и слой проводника состоя главным образом меди сразу скреплен к вмешиваясь слою металла без интервенции слоя материала припоя. Элемент полупроводника или подобие установлены на члене для прибора на полупроводниках, таким образом изготовляя прибора на полупроводниках. Высокий слой точки плавления металлизируя сформирован на алюминиевом субстрате нитрида металлизированием столб-pojara или чо-pojara.
