An active layer of an NTFT includes a channel forming region, at least a
first impurity region, at least a second impurity region and at least a
third impurity region therein. Concentrations of an impurity in each of
the first, second and third impurity regions increase as distances from
the channel forming region become longer. The first impurity region is
formed to be overlapped with a side wall. A gate overlapping structure can
be realized with the side wall functioning as an electrode.
Ένα ενεργό στρώμα ενός NTFT περιλαμβάνει ένα κανάλι που διαμορφώνει την περιοχή, τουλάχιστον της πρώτης περιοχής ακαθαρσιών, τουλάχιστον μια δεύτερη περιοχή ακαθαρσιών και τουλάχιστον μια τρίτη περιοχή ακαθαρσιών εκεί μέσα. Οι συγκεντρώσεις μιας ακαθαρσίας σε κάθε μια από την πρώτη, δεύτερη και τρίτη αύξηση περιοχών ακαθαρσιών ως αποστάσεις από το κανάλι που διαμορφώνει την περιοχή γίνονται πιό μακροχρόνιες. Η πρώτη περιοχή ακαθαρσιών διαμορφώνεται για να επικαλυφθεί με έναν πλευρικό τοίχο. Μια επικαλύπτοντας δομή πυλών μπορεί να πραγματοποιηθεί με τον πλευρικό τοίχο που λειτουργεί ως ηλεκτρόδιο.
