Laser thermal annealing method for high dielectric constant gate oxide films

   
   

A method of manufacturing a semiconductor device, including depositing a gate oxide film over a substrate and conditioning the deposited gate oxide film using laser thermal annealing in a single process chamber, and depositing a gate electrode film over the conditioned gate oxide film.

Μια μέθοδος μια συσκευή ημιαγωγών, συμπεριλαμβανομένης της κατάθεσης μιας ταινίας οξειδίων πυλών πέρα από ένα υπόστρωμα και της βελτίωσης της κατατεθειμένης ταινίας οξειδίων πυλών που χρησιμοποιεί τη θερμική ανόπτηση λέιζερ σε μια ενιαία αίθουσα διαδικασίας, και την κατάθεση μιας ταινίας ηλεκτροδίων πυλών πέρα από τη ρυθμισμένη ταινία οξειδίων πυλών.

 
Web www.patentalert.com

< Substrate for liquid crystal display elements

< Easy to disperse, high durability TiO2 pigment and method of making same

> Decorative paper with a high opacity

> Toner composition for organic black matrix and preparation method thereof

~ 00129