A semiconductor memory device has a plurality of sub power source lines for
supplying a power source voltage to memory cells, a main power source line
for supplying the power source voltage to the sub power source lines, and
a plurality of fuse elements for connecting the main power source line to
the sub power source lines. Predetermined number of the sub power source
lines are commonly connected by one of plurality of common connecting
sections. Each of the common connecting sections is disposed at one ends
of the sub power source lines. Each of the common connecting sections is
connected to the main power source line through each of the fuse elements.
The number of the sub power source lines connected to the common
connecting section is equal to the number of the sub word lines
subordinate to one main word line, and also equal to the number of the
redundant sub word lines subordinate to one redundant main word line.
Eine Halbleiterspeichervorrichtung hat eine Mehrzahl der Vorenergiequellelinien für das Liefern einer Energiequellespannung an Speicherzellen, der Netzspannung Quelllinie für das Liefern der Energiequellespannung an die Unterseebootenergiequellelinien und der Mehrzahl der Sicherung Elemente für das Anschließen der Netzspannung Quelllinie an die Vorenergiequellelinien. Vorbestimmte Zahl der Vorenergiequellelinien werden allgemein durch eine von Mehrzahl der allgemeinen anschließenden Abschnitte angeschlossen. Jeder der allgemeinen anschließenden Abschnitte wird bei einem beendet von den Vorenergiequellelinien abgeschaffen. Jeder der allgemeinen anschließenden Abschnitte wird an die Netzspannung Quelllinie durch jedes der Sicherung Elemente angeschlossen. Die Zahl den Vorenergiequellelinien schloß an den allgemeinen anschließenden Abschnitt ist gleich der Zahl Vorwort nachgeordnete Instanz einer Hauptwortlinie an, und auch gleich der Zahl überflüssigen Vorwort nachgeordnete Instanz einer überflüssigen Hauptwortlinie.
