The present teachings describe a container capacitor that utilizes an
etchant permeable lower electrode for the formation of single or
double-sided capacitors without excessive etching back of the periphery of
the use of sacrificial spacers. The present teachings further describe a
method of forming at least one capacitor structure on a substrate. For
example, the method comprises forming at least one recess in the
substrate, depositing a first conductive layer on the substrate so as to
overlie the at least one recess, and defining at least one lower electrode
within the at least one recess formed in the substrate by removing at
least a portion of the first conductive layer. The method further
comprises diffusing an etchant through the at least one lower electrode so
as to remove at least a portion of the substrate to thereby at least
partially isolate the at least one lower electrode. The method still
further comprises depositing a dielectric layer on the at least one
isolated lower electrode and depositing a second conductive layer on the
dielectric layer so as to form an upper electrode.
Οι παρούσες διδασκαλίες περιγράφουν έναν πυκνωτή εμπορευματοκιβωτίων που χρησιμοποιεί ένα etchant διαπερατό χαμηλότερο ηλεκτρόδιο για το σχηματισμό των ενιαίων ή double-sided πυκνωτών χωρίς υπερβολικό πίσω μέρος χαρακτικής της περιφέρειας της χρήσης των θυσιαστικών πλήκτρων διαστήματος. Οι παρούσες διδασκαλίες περιγράφουν περαιτέρω μια μέθοδο τουλάχιστον μια δομή πυκνωτών σε ένα υπόστρωμα. Παραδείγματος χάριν, η μέθοδος περιλαμβάνει τη διαμόρφωση τουλάχιστον μιας κοιλότητας στο υπόστρωμα, την κατάθεση ενός πρώτου αγώγιμου στρώματος στο υπόστρωμα ώστε να επικαλυφθεί η τουλάχιστον μια κοιλότητα, και τον καθορισμό τουλάχιστον ενός χαμηλότερου ηλεκτροδίου μέσα στην τουλάχιστον μια κοιλότητα που διαμορφώνεται στο υπόστρωμα με την αφαίρεση τουλάχιστον μιας μερίδας του πρώτου αγώγιμου στρώματος. Η μέθοδος περιλαμβάνει περαιτέρω τη διάχυση ένας etchant μέσω του τουλάχιστον ενός χαμηλότερου ηλεκτροδίου ώστε να αφαιρεθεί τουλάχιστον μια μερίδα του υποστρώματος με αυτόν τον τρόπο τουλάχιστον μερικώς απομονώνει το τουλάχιστον ένα χαμηλότερο ηλεκτρόδιο. Η μέθοδος περιλαμβάνει επιπλέον την κατάθεση ενός διηλεκτρικού στρώματος στο τουλάχιστον ένα απομονωμένο χαμηλότερο ηλεκτρόδιο και την κατάθεση ενός δεύτερου αγώγιμου στρώματος στο διηλεκτρικό στρώμα ώστε να διαμορφωθεί ένα ανώτερο ηλεκτρόδιο.
