A capacitor is fabricated over a first layer having a first conductive plug
formed on a substrate in a semiconductor memory. On the first layer, a
silicon nitride film, a first capacitor oxide film, and a second oxide
film are sequentially formed. The first and the second oxide films have
different wet etch rates. Dry and wet etchings are sequentially performed
to the first and second oxide films to form a second contact hole. The
second contact hole is then etched. Thereafter, a silicon film and a
filler film are sequentially formed on the resultant surface of the
structure. A cylindrical storage node electrode is then formed by etching
a predetermined portion of the filler film and the silicon film. After
removing the remaining filler film and the oxide films, a Ta.sub.2 O.sub.5
dielectric film covering the storage node electrode and a TiN film for an
upper electrode are then sequentially formed.
Un condensador es excedente fabricado que una primera capa que tenía un primer enchufe conductor formó en un substrato en una memoria de semiconductor. En la primera capa, una película del nitruro de silicio, una primera película del óxido del condensador, y una segunda película del óxido se forman secuencialmente. Las primeras y segundas películas del óxido tienen diferente mojar tarifas del grabado de pistas. Las aguafuertes secas y mojadas se realizan secuencialmente a las primeras y segundas películas del óxido para formar un segundo agujero del contacto. El segundo agujero del contacto entonces se graba al agua fuerte. Después de eso, una película del silicio y una película del llenador se forman secuencialmente en la superficie resultante de la estructura. Un electrodo cilíndrico del nodo del almacenaje entonces es formado grabando al agua fuerte una porción predeterminada de la película del llenador y de la película del silicio. Después de quitar la película restante del llenador y las películas del óxido, una película dieléctrica de Ta.sub.2 O.sub.5 que cubre el electrodo del nodo del almacenaje y una película de la lata para un electrodo superior entonces se forman secuencialmente.
