An interconnect for a substructure having an opening (470) with a rounded
perimetrical top edge (480) includes a titanium nitride layer (150) and a
tungsten layer (160). The titanium layer overlies the substructure,
extends into the opening, has a substantially columnar grain structure,
and is less than 30 nm thick. The tungsten layer overlies/contacts the
titanium nitride layer and extends into the opening. A titanium layer
(140) normally no more than 36 nm thick is typically situated between the
substructure and the titanium nitride layer.
Μια διασύνδεση για μια υποδομή που έχει ανοίγοντας (470) με μια στρογγυλευμένη perimetrical κορυφαία άκρη (480) περιλαμβάνει ένα στρώμα νιτριδίων τιτανίου (150) και ένα στρώμα βολφραμίου (160). Το στρώμα τιτανίου επικαλύπτει την υποδομή, επεκτείνεται στο άνοιγμα, έχει μια ουσιαστικά κιονοειδή δομή σιταριού, και είναι λιγότερο από 30 NM παχύ. Το στρώμα βολφραμίου επικαλύπτει/επαφές το στρώμα νιτριδίων τιτανίου και επεκτείνεται στο άνοιγμα. Ένα στρώμα τιτανίου (140) κανονικά λιγότερος από 36 NM παχύ είναι χαρακτηριστικά τοποθετημένο μεταξύ της υποδομής και του στρώματος νιτριδίων τιτανίου.
