A microelectronic assembly, and method of making the same, including a wire
stitch bonded on an electroplated gold bump or electroless nickel/gold
bump on a bond pad of an integrated circuit chip. The electroplated gold
bump or electroless nickel/gold bump provides a relatively flat upper
surface which is excellent for making a wire stitch bond thereto. The
microelectronic assembly may include a multiple integrated circuit chip
stack attached to a substrate such as a ball grid array. The electroplated
gold bumps or electroless nickel/gold bumps may be formed on all of the
integrated circuit chips and wire stitch bonds formed on the electroplated
gold bumps or electroless nickel/gold bumps thereby connecting the
integrated circuit chips to each other or to an underlying ball grid
array.
Eine Mikroelektronische Versammlung und Produktionsmethode dasselbe, einschließlich eine Leitung Heftung abgebunden auf einem galvanisierten Goldstoß oder electroless nickel/gold Stoß auf einer Bondauflage eines Schaltungspanes. Der galvanisierte Goldstoß oder der electroless nickel/gold Stoß liefert eine verhältnismäßig flache Oberfläche, die für eine Leitung Heftung Bindung dazu bilden ausgezeichnet ist. Die Mikroelektronische Versammlung kann einen mehrfachen Schaltungspanstapel mit einschließen, der zu einem Substrat wie einer Kugelrasterfeldreihe angebracht wird. Die galvanisierten Goldstösse oder die electroless nickel/gold Stösse können auf allen Schaltungspäne gebildet werden und die Leitung Heftung Bindungen, die auf den galvanisierten Goldstössen oder dem electroless nickel/gold gebildet werden, stößt die Schaltungspäne eine zugrundeliegende Kugelrasterfeldreihe dadurch miteinander oder an anschließen.
