The following defects are suppressed: when an interlayer insulating film
including a silicon carbide film and an organic insulating film is
dry-etched to form interconnection grooves over underlying Cu
interconnections, an insulating reactant adheres to the surface of the
underlying Cu interconnections exposed to the bottom of the
interconnection grooves, or the silicon carbide film or the organic
insulating film exposed to the side walls of the interconnection grooves
are side-etched. When a lamination film made of a silicon oxide film, an
organic insulating film, a silicon oxide film, an organic insulating film
and a silicon carbide film is dry-etched to form interconnection grooves
over Cu interconnections, a mixed gas of SF.sub.6 and NH.sub.3 is used as
an etching gas for the silicon carbide film to work side walls of the
interconnection grooves perpendicularly and further suppress defects that
a deposit or a reactant adheres to the surface of the Cu interconnections
exposed to the bottom of the interconnection grooves.
De volgende tekorten worden onderdrukt: wanneer een tussenlaag isolerende film met inbegrip van een film van het siliciumcarbide en een organische isolerende film worden droog-geëtst om interconnectiegroeven te vormen over het ten grondslag liggen van de aan interconnecties van Cu, hangt een isolerende reactant de oppervlakte van de onderliggende interconnecties van Cu die aan de bodem van de interconnectiegroeven worden blootgesteld, of de film van het siliciumcarbide aan of de organische isolerende film die aan de zijmuren van de interconnectiegroeven wordt blootgesteld wordt zij-geëtst. Wanneer een lamineringsfilm die van een film van het siliciumoxyde wordt gemaakt, een organische isolerende film, een film van het siliciumoxyde, een organische isolerende film en een film van het siliciumcarbide worden droog-geëtst om interconnectiegroeven over de interconnecties van Cu te vormen, wordt een gemengd gas van SF.sub.6 en NH.sub.3 gebruikt als etsgas voor de film van het siliciumcarbide om zijmuren van de interconnectiegroeven loodrecht te werken en verder tekorten te onderdrukken dat een storting of een reactant de oppervlakte van de interconnecties van Cu aanhangen die aan de bodem van de interconnectiegroeven worden blootgesteld.
