A semiconductor acceleration sensor includesa
non-single-crystal-silicon-based substrate, an insulating beam structure
having a movable section and a stationary section, at least one
piezoresistor positioned on the beam structure, an insulating supporter
positioned on the non-single-crystal-silicon-based substrate for fixing
the stationary section of the beam structure and forming a distance
between the beam structure and the non-single-crystal-silicon-based
substrate, and a thin film transistor (TFT) control circuit positioned on
the non-single-crystal-silicon-based substrate and electrically connected
to the piezoresistor and the beam structure.
Un substrat non-simple-cristal-silicium-basé par includesa de sonde d'accélération de semi-conducteur, une structure isolante de faisceau ayant une section mobile et une section stationnaire, au moins un piezoresistor placé sur la structure de faisceau, un défenseur isolant placé sur le substrat non-simple-cristal-silicium-basé pour fixer la section stationnaire de la structure de faisceau et former une distance entre la structure de faisceau et le substrat non-simple-cristal-silicium-basé, et un circuit de commande du transistor de la couche mince (TFT) placé sur le substrat non-simple-cristal-silicium-basé et électriquement relié au piezoresistor et à la structure de faisceau.
