A high integration dynamic random access memory is provided by this
invention. Furthermore, a write method is provided such that the cell size
of two- and three-transistor gain cell memories is reduced. A dynamic
memory incorporating a thin-channel transistor as the write element such
that long data storage retention is achieved in the memory devices of this
invention. A dynamic memory cell having low operating power and high
density is also realized by this invention.
Μια υψηλή μνήμη πρόσβασης ολοκλήρωσης δυναμική τυχαία παρέχεται από αυτήν την εφεύρεση. Επιπλέον, γράψτε ότι η μέθοδος παρέχεται έτσι ώστε το μέγεθος κυττάρων δύο - και οι μνήμες κυττάρων κέρδους τρεις-κρυσταλλολυχνιών μειώνονται. Μια δυναμική μνήμη που ενσωματώνει μια κρυσταλλολυχνία λεπτός-καναλιών ως γράφει το στοιχείο έτσι ώστε η μακροχρόνια διατήρηση αποθήκευσης στοιχείων επιτυγχάνεται στις συσκευές μνήμης αυτής της εφεύρεσης. Ένα δυναμικό κύτταρο μνήμης που έχει τη χαμηλές λειτουργούσες δύναμη και την υψηλή πυκνότητα πραγματοποιείται επίσης από αυτήν την εφεύρεση.
