An ESD device and method using parasitic bipolar transistors that are
silicided. The first embodiment is a parasitic Bipolar Junction Transistor
comprised of n+/n-/p-/n-/n+ regions. The emitter is formed of the second
N+ region and the second N- well. The parasitic base is formed by the p-
substrate or well. The collector is formed of the first well and the first
n+ region. The benefit of the first embodiment is the trigger voltage is
lower because the junction between the n- well (emitter) and P- substrate
(base) and the junction between P- substrate (base) and the n-well have
lower cross over concentrations. The second embodiment is similar to the
first embodiment with the addition of the first gate. The first gate is
preferably connected to the first n+ region and the Vpad. The third
embodiment contains the same elements as the second embodiment with the
addition of a third n+ region. The third n+ region is preferably shorted
(or connected) to the first p+ region and the second n+ region. The third
embodiment forms a second NPN parasitic bipolar using the third N+ region
as an emitter. The forth embodiment contains the same elements as the
third embodiment with the addition of a second gate over the first
isolation region. The second gate is preferably connected to the third n+
region to the first p+ region and the second n+ region. The gate changes
the electrical characteristics of the first parasitic bipolar transistor.
Приспособление и метод ESD используя паразитные двухполярные транзисторы silicided. Первым воплощением будет паразитный транзистор двухполярного соединения, котор состоят из зон n+/n-/p-/n-/n+. Излучатель сформирован второй зоны N+ и второго добра n-. Паразитное основание сформировано субстратом или добром p-. Сборник сформирован первой хорошей и первой зоны n+. Преимуществом первого воплощения будет пусковое напряжение более низко потому что соединение между добром n- (излучателем) и субстрат p- (основание) и соединение между субстратом p- (основанием) и n-well имеет более низкий крест над концентрацией. Второе воплощение подобно к первому воплощению с добавлением первого строба. Первый строб предпочтительн подключен к первой зоне n+ и Vpad. Третье воплощение содержит такие же элементы как второе воплощение с добавлением третьей зоны n+. Третья зона n+ предпочтительн замкнута накоротко (или подключена) к первой зоне p+ и второй зоне n+. Третье воплощение формирует второе двухполярное NPN паразитное использующ третью зону N+ как излучатель. Вперед воплощение содержит такие же элементы как третье воплощение с добавлением второго строба над первой зоной изоляции. Второй строб предпочтительн подключен к третьей зоне n+ к первой зоне p+ и второй зоне n+. Строб изменяет электрические характеристики первого паразитного двухполярного транзистора.
