High frequency semiconductor device

   
   

A structure for preventing MMICs (Monolithic Microwave Integrated Circuits) from deterioration in the high-frequency transmission characteristics thereof, which results from mechanical pressure applied to the pads during the wire-bonding thereto for external connection. The structure includes a groove provided in the surface of the interlayer insulation film around each of the pads. The line conductor for transmitting high-frequency signals is free from the peeling off or bending thereof, which is caused by the deformation in the interlayer insulation films during when the mechanical pressure applied to the pads, and thus, the change in the transmission characteristics of the line conductor can be minimized, and the reliability of MMICs can be improved.

Een structuur voor het verhinderen van MMICs (de Monolithische Geïntegreerde schakelingen van de Microgolf) verslechtering in de transmissiekenmerken met hoge frekwentie daarvan, die uit mechanische druk voortvloeit was op de stootkussens van toepassing tijdens draad-plakt daaraan voor externe verbinding. De structuur omvat een groef die in de oppervlakte van de film van de tussenlaagisolatie rond elk van de stootkussens wordt verstrekt. De lijnleider voor het overbrengen van signalen met hoge frekwentie is vrij weg van de schil of daarvan buigend, die door de misvorming in de films van de tussenlaagisolatie wordt veroorzaakt tijdens wanneer de mechanische druk die op de stootkussens wordt toegepast, en zo, de verandering in de transmissiekenmerken van de lijnleider kan worden geminimaliseerd, en de betrouwbaarheid van MMICs kan worden verbeterd.

 
Web www.patentalert.com

< Mass analyzing method using an ion trap type mass spectrometer

< Semiconductor devices and methods of manufacturing the same

> Image-forming apparatus

> Clock-generating circuit and image-forming apparatus having a function of canceling F-theta property errors

~ 00131