A dielectric film containing lanthanide doped TiO.sub.x and a method of
fabricating such a dielectric film produce a reliable gate dielectric
having an equivalent oxide thickness thinner than attainable using
SiO.sub.2. A dielectric film is formed by ion assisted electron beam
evaporation of TiO.sub.2 and electron beam evaporation of a lanthanide
selected from a group consisting of Nd, Tb, and Dy. The growth rate is
controlled to provide a dielectric film having a lanthanide content
ranging from about ten to about thirty percent of the dielectric film.
These dielectric films containing lanthanide doped TiO.sub.x are amorphous
and thermodynamically stable such that the lanthanide doped TiO.sub.x will
have minimal reactions with a silicon substrate or other structures during
processing.
Un film diélectrique contenant TiO.sub.x enduit par lanthanide et une méthode de fabriquer un produit si diélectrique de film un diélectrique fiable de porte ayant un diluant équivalent d'épaisseur d'oxyde que SiO.sub.2 employant possible. Un film diélectrique est constitué par évaporation aidée par ion de faisceau d'électrons de TiO.sub.2 et évaporation de faisceau d'électrons d'un lanthanide choisi parmi un groupe se composant du ND, du Tb, et du Dy. Le taux de croissance est commandé pour fournir un film diélectrique ayant s'étendre content de lanthanide environ de dix à environ trente pour cent du film diélectrique. Ces films diélectriques contenant TiO.sub.x enduit par lanthanide sont amorphes et thermodynamiquement écurie tels que le TiO.sub.x enduit par lanthanide aura des réactions minimales à un substrat de silicium ou à d'autres structures pendant le traitement.
