An optoelectronic device and a method of manufacturing the same which the
optoelectronic effect such as light emission or light reception can be
increased by forming a dual-structural nano dot to enhance the confinement
density of electrons and holes are provided. The optoelectronic device
comprises an electron injection layer, a nano dot, and a hole injection
layer. The nano dot has a dual structure composed of an external nano dot
and an internal dot. The method of manufacturing the optoelectronic device
comprises the steps of forming an electron injection layer on a
semiconductor substrate; growing nano dot layer on the electron injection
layer by an epi-growth method; heating the nano dot layer so that the nano
dot has a dual structure composed of an external nano dot and an internal
nano dot; and forming a hole injection layer on the overall structure.
Um dispositivo optoelectronic e um método de manufaturar o mesmo que o efeito optoelectronic tal como a recepção clara da emissão ou da luz pode ser aumentado dando forma a um ponto duplo-estrutural do nano para realçar a densidade do confinamento dos elétrons e dos furos são fornecidos. O dispositivo optoelectronic compreende uma camada da injeção do elétron, um ponto do nano, e uma camada da injeção do furo. O ponto do nano tem uma estrutura dupla composta de um ponto externo do nano e de um ponto interno. O método de manufaturar o dispositivo optoelectronic compreende as etapas de dar forma a uma camada da injeção do elétron em uma carcaça do semicondutor; o nano crescente pontilha a camada na camada da injeção do elétron por um método do epi-crescimento; aquecendo o nano pontilhe a camada de modo que o ponto do nano tenha uma estrutura dupla composta de um ponto externo do nano e de um ponto interno do nano; e dando forma a uma camada da injeção do furo na estrutura total.
