A ferroelectric memory device includes a plurality of wordlines and a
plurality of plate lines, the wordlines and the plate lines being
alternately formed at regular intervals in one direction; a plurality of
sub bitlines and a plurality of main bitlines, the sub bitlines and the
main bitlines alternately formed at regular intervals to cross the
wordlines and the plate lines; a plurality of sub cell arrays connected
with the wordlines, the sub bitlines and the plate lines, having cells in
directions defined by a plurality of rows and columns, the cells in the
direction of the rows being arranged every two columns and the cells in
the direction of the columns being arranged every two rows, respectively;
and switching elements each operating between one of the sub bitlines and
one of the main bitlines by an externally applied bitline switch signal of
a constant pulse type to selectively connect the sub bitline with the main
bitline.
Un bloc de mémoires ferroelectric inclut une pluralité de wordlines et une pluralité de lignes de plat, les wordlines et les lignes de plat étant alternativement formés à intervalles réguliers dans une direction ; une pluralité de bitlines secondaires et une pluralité de bitlines principaux, des bitlines secondaires et des bitlines principaux ont alternativement formé à intervalles réguliers pour croiser les wordlines et les lignes de plat ; une pluralité de rangées secondaires de cellules s'est reliée aux wordlines, les bitlines secondaires et les lignes de plat, ayant des cellules dans les directions définies par une pluralité de rangées et de colonnes, les cellules dans la direction des rangées étant arrangées chaque deux colonnes et les cellules dans la direction des colonnes étant arrangées chaque deux rangées, respectivement ; et éléments chacun de commutation fonctionnant entre un des bitlines secondaires et un des bitlines principaux par un signal extérieurement appliqué de commutateur de bitline d'un type constant d'impulsion pour relier sélectivement le bitline secondaire au bitline principal.
