The present invention forms sidewall diffusion barrier layer(s) that
mitigate hydrogen contamination of ferroelectric capacitors. Sidewall
diffusion barrier layer(s) of the present invention are formed via a
physical vapor deposition process at a low temperature. By so doing, the
sidewall diffusion barrier layer(s) are substantially amorphous and
provide superior protection against hydrogen diffusion than conventional
and/or crystalline sidewall diffusion barrier layers.
Вымысел настоящего момента формирует layer(s) барьера диффузии стенки mitigate загрязнение водопода ferroelectric конденсаторов. Layer(s) барьера диффузии стенки присытствыющего вымысла сформировано через физический процесс низложения пара на низкой температуре. так делать, layer(s) барьера диффузии стенки существенн аморфическо и обеспечивает главное предохранение против диффузии водопода чем обычные and/or кристаллические слои барьера диффузии стенки.
