The present invention provides a Hetero-Bipolar Transistor that suppresses
a recombination current between electrons in the conduction band of an
emitter and holes in the valence band of a base, which results on an
enhancement of the current gain of the transistor. The HBT according to
the present invention comprises a semi-insulating semiconductor substrate
and a series of semiconductor layers on the substrate. The semiconductor
layers are a buffer layer, a sub-collector layer a collector layer, a base
layer, an emitter layer, an emitter contact layer, and an intermediate
layer between the emitter layer and the emitter contact layer. The emitter
layer has a carrier concentation of 1.0.times.10.sup.19 cm.sup.-3.
De onderhavige uitvinding verstrekt een hetero-Bipolaire Transistor die een nieuwe combinatiestroom tussen elektronen in de geleidingsband van een zender en gaten in de valentieband van een basis onderdrukt, die op een verhoging van de huidige aanwinst van de transistor voortvloeit. HBT volgens de onderhavige uitvinding bestaat uit een semi-insulating halfgeleidersubstraat en uit een reeks halfgeleiderlagen op het substraat. De halfgeleiderlagen zijn een bufferlaag, een sub-collectorlaag een collectorlaag, een basislaag, een zenderlaag, een laag van het zendercontact, en een middenlaag tussen de zenderlaag en de laag van het zendercontact. De zenderlaag heeft een dragerconcentation van 1.0.times.10.sup.19 cm.sup.-3.
