A semiconductor device includes a semiconductor substrate, a channel layer,
a Schottky layer, a first layer having a narrow band gap than the Schottky
layer, a second layer having band discontinuity with the Schottky layer, a
gate electrode, an n+ layer, a source electrode, and a drain electrode.
The first and second layers are within the Schottky layer, and the second
layer is disposed on the first layer.
Un dispositif de semi-conducteur inclut un substrat de semi-conducteur, une couche de canal, une couche de Schottky, une première couche ayant un espace à bande étroite que la couche de Schottky, une deuxième couche ayant la discontinuité de bande avec la couche de Schottky, une électrode de porte, une couche de n+, une électrode de source, et une électrode de drain. Les premières et deuxièmes couches sont dans la couche de Schottky, et la deuxième couche est disposée sur la première couche.
