An NPN transistor having an epitaxial region of an N-type silicon/P-type
silicon germanium/N-type silicon structure, and a PNP transistor having an
epitaxial region of a P-type silicon/N-type silicon germanium/P-type
silicon structure are formed on a silicon substrate after the formation of
an element-isolating oxide film. At this time, the concentration
distribution of germanium in the base of each of the NPN transistor and
the PNP transistor is adjusted to have a peak in the collector side, and
to descend toward the emitter side. Since each epitaxial layer is
independently grown, the speed performance of each transistor can be
adjusted to the ultimate while maintaining practical withstand voltage.
Ein NPN Transistor, der eine Epitaxial- Region einer N-Art Silikonstruktur des silicon/P-type Silikons germanium/N-type haben, und ein PNP Transistor, der eine Epitaxial- Region einer P-Art Silikonstruktur des silicon/N-type Silikons germanium/P-type hat, werden auf einem Silikonsubstrat nach der Anordnung eines Element-lokalisierenden Oxidfilmes gebildet. Diesmal wird die Konzentration Verteilung des Germaniums in der Unterseite von jedem des NPN Transistors und des PNP Transistors, um eine Spitze in der Kollektorseite zu haben, justiert und zur Emitterseite abzusteigen. Da jede Epitaxial- Schicht unabhängig gewachsen wird, kann die Geschwindigkeit Leistung jedes Transistors auf das entscheidende beim Beibehalten der praktischen Widerstand Spannung justiert werden.
