Techniques for fabricating a device include forming a fabrication layout,
such as a mask layout, for a physical design layer, such as a design for
an integrated circuit, and identifying evaluation points on an edge of a
polygon corresponding to the design layer for correcting proximity
effects. Techniques include selecting from among all edges of all polygons
in a proposed layout a subset of edges for which proximity corrections are
desirable. The subset of edges includes less than all the edges.
Evaluation points are established only for the subset of edges.
Corrections are determined for at least portions of the subset of edges
based on an analysis performed at the evaluation points. Other techniques
include establishing a projection point on a first edge corresponding to
the design layout based on whether a vertex of a second edge is within a
halo distance. An evaluation point is determined for the first edge based
on the projection point and characteristics of the first edge. It is then
determined how to correct at least a portion of the edge for proximity
effects based on an analysis at the evaluation point.
Методы для изготовлять приспособление вклюают формировать план изготовления, such as план маски, для физического слоя конструкции, such as конструкция для интегрированной цепи, и определяющ пункты оценки на крае полигона соответствуя к конструкции наслоите для исправлять влияния близости. Методы вклюают выбирать от среди всех краев всех полигонов в предложенный план подсовокупность краев для коррекции близости желательны. Подсовокупность краев вклюает чем все края. Пункты оценки установлены только для подсовокупности краев. Коррекции обусловлены для по крайней мере частей подсовокупности краев основанных на анализе выполненном на этапы оценки. Другие методы вклюают устанавливать пункт проекции на первом крае соответствуя к плану конструкции основанному дальше находится ли вершина второго края в пределах расстояния венчика. Пункт оценки обусловлен для первого края основанного на пункте проекции и характеристиках первого края. После этого обусловлено как исправить по крайней мере часть края для влияний близости основанных на анализе на этап оценки.
