The invention includes a magnetoresistive memory device having a memory bit
stack. The stack includes a first magnetic layer, a second magnetic layer,
and a non-magnetic layer between the first and second magnetic layers. A
first conductive line is proximate the stack and configured for
utilization in reading information from the memory bit. The first
conductive line is ohmically connecting with either the first or second
magnetic layer. A second conductive line is spaced from the stack by a
sufficient distance that the second conductive line is not ohmically
connected to the stack, and is configured for utilization in writing
information to the memory bit. The invention also includes methods of
storing and retrieving information.
L'invention inclut un bloc de mémoires magnétorésistant ayant une pile de peu de mémoire. La pile inclut une première couche magnétique, une deuxième couche magnétique, et une couche non magnétique entre les premières et deuxièmes couches magnétiques. Une première ligne conductrice est proche la pile et configuré pour l'utilisation dans l'information de lecture du peu de mémoire. La première ligne conductrice se relie ohmically à la première ou en second lieu magnétique couche. Une deuxième ligne conductrice est éloignée de la pile par une distance suffisante que la deuxième ligne conductrice n'est pas ohmically reliée à la pile, et est configurée pour l'utilisation dans l'information d'écriture au peu de mémoire. L'invention inclut également des méthodes de stocker et de rechercher l'information.
