An integrated semiconductor circuit device comprising a diode bridge
circuit formed of a Schottky barrier diode and a periphery circuit formed
of a MOS transistor which are formed on a single silicon substrate,
wherein a Schottky barrier, which is a component of the Schottky barrier
diode, is made of a silicide layer.
Μια ενσωματωμένη συσκευή κυκλωμάτων ημιαγωγών που περιλαμβάνει ένα κύκλωμα γεφυρών διόδων που διαμορφώνονται μιας διόδου εμποδίων Schottky και ένα κύκλωμα περιφέρειας που διαμορφώνεται μιας κρυσταλλολυχνίας MOS που διαμορφώνεται σε ένα ενιαίο υπόστρωμα πυριτίου, όπου ένα εμπόδιο Schottky, το οποίο είναι ένα συστατικό της διόδου εμποδίων Schottky, αποτελείται από ένα στρώμα μεταλλικής ένωσης πυριτίου.
