A photodetector device includes a doped semiconductor substrate. A first
intrinsic semiconductor material layer, a main reflector, a second
intrinsic semiconductor material layer, an upper semiconductor material
layer, which is doped the opposite as the substrate, are formed in
succession on the semiconductor substrate. An upper electrode is formed on
and electrically connected with the upper semiconductor layer, and a lower
electrode is electrically connected to the semiconductor substrate. One of
the intrinsic semiconductor layers is relatively thin to absorb incident
light, while the other is relatively thick. The photodetector device, a
p-i-n photodetector, has an I region including the intrinsic semiconductor
layers with different thicknesses, and a main reflector therebetween. The
thickness of the entire I region can be increased with a reduced transit
distance for holes. Thus, low driving voltage and high sensitivity to a
high frequency optical signal requirements can be realized without
reducing the size of the photo-receiving area.
Un dispositivo del rivelatore fotoelettrico include un substrato verniciato a semiconduttore. Un primo strato materiale a semiconduttore intrinseco, un riflettore principale, un secondo strato materiale a semiconduttore intrinseco, uno strato materiale a semiconduttore superiore, che è verniciato l'opposto come il substrato, è formato nella successione sul substrato a semiconduttore. Un elettrodo superiore è formato sopra ed elettricamente è collegato con lo strato superiore a semiconduttore e un elettrodo più basso è collegato elettricamente al substrato a semiconduttore. Uno degli strati a semiconduttore intrinseco deve relativamente sottilmente assorbire la luce di avvenimento, mentre l'altro è relativamente spesso. Il dispositivo del rivelatore fotoelettrico, un perno rivelatore fotoelettrico, ha una regione di I compreso gli strati a semiconduttore intrinseco con differenti spessori e un riflettore principale therebetween. Lo spessore di intera regione di I può essere aumentato con una distanza ridotta di transito per i fori. Quindi, la tensione movente bassa e l'alta sensibilità ai requisiti ad alta frequenza del segnale ottico possono essere realizzate senza ridurre il formato della zona diricezione.
