An aspect of the present invention includes a first conductive type
semiconductor region; a gate electrode formed on the first conductive type
semiconductor region; a channel region formed immediately below the gate
electrode in the first conductive type semiconductor region; and a second
conductive type first diffusion layer constituting source/drain regions
formed at opposite sides of the channel region in the first conductive
type semiconductor region, the gate electrode being formed of
polycrystalline silicon-germanium, in which a germanium concentration is
continuously increased from a drain region side to a source region side,
and an impurity concentration immediately below the gate electrode in the
first conductive type semiconductor region being continuously increased
from the source region side to the drain region side in accordance with
the germanium concentration in the gate electrode.
Μια πτυχή της παρούσας εφεύρεσης περιλαμβάνει μια πρώτη αγώγιμη περιοχή ημιαγωγών τύπων ένα ηλεκτρόδιο πυλών που διαμορφώνεται στην πρώτη αγώγιμη περιοχή ημιαγωγών τύπων μια περιοχή καναλιών που διαμορφώνεται αμέσως κάτω από το ηλεκτρόδιο πυλών στην πρώτη αγώγιμη περιοχή ημιαγωγών τύπων και ένα δεύτερο αγώγιμο στρώμα διάχυσης τύπων πρώτο που αποτελεί τις περιοχές πηγής/αγωγών που διαμορφώνονται στις αντίθετες πλευρές της περιοχής καναλιών στην πρώτη αγώγιμη περιοχή ημιαγωγών τύπων, το ηλεκτρόδιο πυλών που διαμορφώνεται του πολυκρυσταλλικού πυρίτιο-γερμανίου, στο οποίο μια συγκέντρωση γερμανίου αυξάνεται συνεχώς από μια πλευρά περιοχών αγωγών σε μια πλευρά περιοχών πηγής, και μια συγκέντρωση ακαθαρσιών αμέσως κάτω από το ηλεκτρόδιο πυλών στην πρώτη αγώγιμη περιοχή ημιαγωγών τύπων συνεχώς που αυξάνεται από την πλευρά περιοχών πηγής στην πλευρά περιοχών αγωγών σύμφωνα με τη συγκέντρωση γερμανίου στο ηλεκτρόδιο πυλών.
