A constant voltage device includes n-type and p-type doped layers. The
n-type doped layer is formed by heavily doping with an n-type impurity an
upper portion of a p-type silicon semiconductor substrate, in an active
region defined by an isolating insulator film. The p-type doped layer is
formed by doping the region under the n-type doped layer with a p-type
impurity. The n-type and p-type doped layers are provided to form two
layers in parallel with the substrate surface of the semiconductor
substrate, whereby a pn junction formed between the n-type and p-type
doped layers creates a diode structure. Impurity concentration in the
p-type doped layer is established so that the impurity concentration of a
portion adjacent the isolating insulator film is lower that that of the
rest.
Een constant voltageapparaat omvat n-type en p-type gesmeerde lagen. De n-type gesmeerde laag wordt gevormd door met een n-type onzuiverheid een hoger gedeelte van een van de p-type substraat siliciumhalfgeleider, in een actief gebied zwaar te smeren dat door een het isoleren isolatiefilm wordt bepaald. De p-type gesmeerde laag wordt gevormd door het gebied onder de n-type gesmeerde laag met een p-type onzuiverheid te smeren. Het n-type en de p-type gesmeerde lagen worden verstrekt om twee lagen parallel met de substraatoppervlakte van het halfgeleidersubstraat te vormen, waardoor een pn verbinding die tussen het n-type en de p-type gesmeerde lagen wordt gevormd tot een diodestructuur leidt. De concentratie van de onzuiverheid in de p-type gesmeerde laag wordt gevestigd zodat de onzuiverheidsconcentratie van een gedeelte adjacent de het isoleren isolatiefilm lager is dat dat van de rest.
