A preferred embodiment of the present invention provides a Schottky diode
formed from a conductive anode contact, a semiconductor junction layer
supporting the conductive contact and a base layer ring formed around at
least a portion of the conductive anode contact. In particular, the base
layer ring has material removed to form layer material gap (e.g., a vacuum
gap) adjacent to the conductive anode contact. A dielectric layer is also
provided to form one boundary of the base layer material gap.
Eine bevorzugte Verkörperung der anwesenden Erfindung liefert eine Schottky Diode, die von einem leitenden Anode Kontakt gebildet werden, eine Halbleiterübergangschicht, die den leitenden Kontakt stützen und einen Basisschichtring, der um mindestens einen Teil des leitenden Anode Kontaktes gebildet wird. Insbesondere hat der Basisschichtring das Material, das entfernt wird, um materiellen Abstand der Schicht (z.B., einen Vakuumabstand) neben dem leitenden Anode Kontakt zu bilden. Eine dielektrische Schicht wird auch zur Grenze der Form eine des Basisschichtmaterialabstandes zur Verfügung gestellt.
