A semiconductor device equipped with a buried type capacitor directly
buried inside a semiconductor substrate, wherein three-dimensional
cavities 11 each having an aperture on the front side of the flat
semiconductor substrate 10 are formed aligned with each other on the
substrate 10, a capacitor part A is provided by implementing a capacitor
structure of a substrate-buried type inside the cavity 11, and
semiconductor base bodies 101 including capacitor parts A, is provided.
Un dispositif de semi-conducteur équipé d'un type enterré condensateur directement enterré à l'intérieur d'un substrat de semi-conducteur, où les cavités tridimensionnelles 11 ayant une ouverture sur la face frontale du substrat plat 10 de semi-conducteur sont formées a aligné avec l'un l'autre sur le substrat 10, une partie A de condensateur est fourni en mettant en application une structure de condensateur d'un type substrat-enterré à l'intérieur de la cavité 11, et les corps bas 101 de semi-conducteur comprenant le condensateur partie A, est fournis.
