A method of testing a memory cell is disclosed. The memory cell has a data
storage element constructed around an ultra-thin dielectric, such as a
gate oxide, which is used to store information by stressing the ultra-thin
dielectric into breakdown (soft or hard breakdown) to set the leakage
current level of the memory cell. In order to ensure that the gate oxide
underlying the data storage elements are of sufficient quality for
programming, the memory cells of a memory array may be tested by applying
a voltage across the gate oxide of the data storage element and measuring
the current flow. Resultant current flow outside of a predetermined range
indicates a defective memory cell.
Een methode om een geheugencel te testen wordt onthuld. De geheugencel heeft een element van de gegevensopslag dat rond uiterst dunne diëlektrisch, zoals een poortoxyde wordt geconstrueerd, dat wordt gebruikt om informatie op te slaan door uiterst dunne diëlektrisch in analyse (zachte of harde analyse) te beklemtonen om de lekkage huidig niveau van de geheugencel te bepalen. Om ervoor te zorgen dat het poortoxyde dat aan de elementen van de gegevensopslag van voldoende kwaliteit voor programmering is ten grondslag ligt kunnen de geheugencellen van een geheugenserie worden getest door een voltage over het poortoxyde van het element van de gegevensopslag toe te passen en de huidige stroom te meten. De resulterende huidige stroom buiten een vooraf bepaalde waaier wijst op een gebrekkige geheugencel.
