A sense circuit for reading a resistance level of a programmable conductor
random access memory (PCRAM) cell is provided. A voltage potential
difference is introduced across a PCRAM cell by activating an access
transistor from a raised rowline voltage. Both a digit line and a digit
complement reference line are precharged to a first predetermined voltage.
The cell being sensed has the precharged voltage discharged through the
resistance of the programmable conductor memory element of the PCRAM cell.
A comparison is made of the voltage read at the digit line and at the
reference conductor. If the voltage at the digit line is greater than the
reference voltage, the cell is read as a high resistance value (e.g.,
logic HIGH); however, if the voltage measured at the digit line is lower
than that of the reference voltage, the cell is read as a low resistance
value (e.g., logic LOW).
Un circuit de sens pour indiquer un niveau de résistance d'une cellule programmable de la mémoire à accès sélective de conducteur (PCRAM) est fourni. Une différence potentielle de tension est présentée à travers une cellule de PCRAM en activant un transistor d'accès d'une tension augmentée de rowline. Une ligne de chiffre et une ligne de référence de complément de chiffre sont préchargées à une première tension prédéterminée. La cellule étant sentie a la tension préchargée déchargée par la résistance de l'élément programmable de mémoire de conducteur de la cellule de PCRAM. Une comparaison est faite de la tension lue à la ligne de chiffre et au conducteur de référence. Si la tension à la ligne de chiffre est plus grande que la tension de référence, la cellule est lue comme valeur élevée de résistance (par exemple, logique HAUT) ; cependant, si la tension mesurée à la ligne de chiffre est inférieure à celle de la tension de référence, la cellule est lue comme valeur basse de résistance (par exemple, logique BAS).
