A write line structure for a magnetic memory cell includes a write
conductor having a front surface facing the memory cell, a back surface
and two sides surfaces. A cladding layer is disposed adjacent a portion of
the front surface of the write conductor, with the cladding layer
terminating at spaced first and second poles adjacent the front surface of
the write conductor. A data storage layer is operatively positioned
adjacent the cladding layer. The distance between the poles is less than
the width of the write conductor. The width of the data storage layer may
be greater than or less than the distance between the poles.
Una linea struttura di scrittura per una cellula di memoria magnetica include un conduttore di scrittura che ha una superficie della parte anteriore affrontare la cellula di memoria, una superficie posteriore e due superfici dei lati. Uno strato del rivestimento è adiacente disposto di una parte della superficie anteriore del conduttore di scrittura, con lo strato del rivestimento che terminano allo spaziato a in primo luogo ed i secondi pali adiacenti la superficie anteriore del conduttore di scrittura. Uno strato di immagazzinaggio di dati è adiacente attivamente posizionato lo strato del rivestimento. La distanza fra i pali è di meno che la larghezza del conduttore di scrittura. La larghezza dello strato di immagazzinaggio di dati può essere più grande o di meno che della distanza fra i pali.
