A data storage device includes a plurality of shunt elements having
controlled current paths connected in series, and a plurality of memory
cells having programmable resistance states. Each memory cell is connected
across the controlled current path of a corresponding shunt element.
Um dispositivo do armazenamento de dados de inclui um plurality dos elementos da derivação que controlam os trajetos atuais conectados em série, e um plurality das pilhas de memória que têm estados programáveis da resistência. Cada pilha de memória é conectada através do trajeto atual controlado de um elemento correspondente da derivação.
