A write line structure for a magnetic memory cell includes a write
conductor having a front surface facing the memory cell, a back surface
and two sides surfaces. A cladding layer is disposed adjacent a portion of
the front surface of the write conductor, with the cladding layer
terminating at spaced first and second poles adjacent the front surface of
the write conductor. A data storage layer is operatively positioned
adjacent the cladding layer. The distance between the poles is less than
the width of the write conductor. The width of the data storage layer may
be greater than or less than the distance between the poles.
Una línea estructura del escribir para una célula de memoria magnética incluye un conductor del escribir que tiene una superficie del frente el hacer frente de la célula de memoria, de una superficie trasera y de dos superficies de los lados. Una capa del revestimiento es adyacente dispuesto una porción de la superficie delantera del conductor del escribir, con la capa del revestimiento que termina en espaciado primero y los segundos postes adyacentes la superficie delantera del conductor del escribir. Una capa del almacenaje de datos es adyacente operativo colocado la capa del revestimiento. La distancia entre los postes es menos que la anchura del conductor del escribir. La anchura de la capa del almacenaje de datos puede ser mayor que o menos que la distancia entre los postes.
